DDR3RAM 4GB DDR3-1600 G.Skill SQ Series SO-DIMM, CL11-11-11-28
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- Typ: DDR3 SO-DIMM 204-Pin
- Übertragung: 1600MT/s (1600MHz effektiv - abgeleitet von 800MHz I/O-Takt mit Double Data Rate)
- Speichertakt: 200MHz (intern)
- Module: 1x 4GB
- JEDEC: PC3-12800S
- CAS Latency CL: 11 (entspricht 13.75ns)
- Row-to-Column Delay tRCD: 11 (entspricht 13.75ns)
- Row Precharge Time tRP: 11 (entspricht 13.75ns)
- Active-to-Precharge Time tRAS: 28 (entspricht 35.00ns)
- Spannung: 1.5V
- Modulhöhe: 30mm
- Standard-SPD
weitere Informationen
Passendes Zubehör:
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Datenblatt
| Merkmale | |
|---|---|
| Speicherkapazität: | 4 GB |
| Speicherlayout Module x Größe: | 1 x 4 GB |
| Interner Speichertyp: | DDR3 |
| Speichertaktfrequenz: | 1066 MHz |
| Komponente für: | Laptop |
| Memory Formfaktor: | 204-pin SO-DIMM |
| ECC: | Nein |
| Gepufferter Speichertyp: | Unregistered unbuffered |
| CAS Latenz: | 11 |
| Speicherspannung: | 1.5 V |
| Gewicht und Abmessungen | |
| Breite: | 67,6 mm |
| Höhe: | 30 mm |
| Logistikdaten | |
| Warentarifnummer HS: | 84733020 |
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