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Samsung M321R8GA0BB0-CQK Speichermodul 64 GB 1 x 64 GB DDR5 4800 MHz
Artikelnr. AGX1614138 Herstellernr. M321R8GA0BB0-CQK
344,39 €
- Typ: DDR5 RDIMM 288-Pin, reg ECC, on-die ECC
- Übertragung: 4800MT/s (4800MHz effektiv - abgeleitet von 2400MHz I/O-Takt mit Double Data Rate)
- Speichertakt: 300MHz (intern)
- Module: 1x 64GB
- JEDEC: PC5-38400R
- Ranks/Bänke: dual rank, x4
- CAS Latency CL: 40 (entspricht 16.67ns)
- Row-to-Column Delay tRCD: 40 (entspricht 16.67ns)
- Row Precharge Time tRP: 40 (entspricht 16.67ns)
- Active-to-Precharge Time tRAS: 77 (entspricht 32.08ns)
- Spannung: 1.1V
- Modulhöhe: 32mm
- Standard-SPD
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Samsung M324R4GA3BB0-CQK Speichermodul 32 GB 1 x 32 GB DDR5 4800 MHz ECC
Artikelnr. AGX1730002 Herstellernr. M324R4GA3BB0-CQK
174,75 €
- Typ: DDR5 DIMM 288-Pin, ECC, on-die ECC
- Übertragung: 4800MT/s (4800MHz effektiv - abgeleitet von 2400MHz I/O-Takt mit Double Data Rate)
- Speichertakt: 300MHz (intern)
- Module: 1x 32GB
- JEDEC: PC5-38400E
- Ranks/Bänke: dual rank, x8
- CAS Latency CL: 40 (entspricht 16.67ns)
- Spannung: 1.1V
- Modulhöhe: 30mm
- Standard-SPD
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Samsung M323R4GA3BB0-CQK Speichermodul 32 GB 1 x 32 GB DDR5 4800 MHz
Artikelnr. AGX1730011 Herstellernr. M323R4GA3BB0-CQK
114,92 €
- Typ: DDR5 DIMM 288-Pin, on-die ECC
- Übertragung: 4800MT/s (4800MHz effektiv - abgeleitet von 2400MHz I/O-Takt mit Double Data Rate)
- Speichertakt: 300MHz (intern)
- Module: 1x 32GB
- JEDEC: PC5-38400U
- Ranks/Bänke: dual rank, x8
- CAS Latency CL: 40 (entspricht 16.67ns)
- Row-to-Column Delay tRCD: 40 (entspricht 16.67ns)
- Row Precharge Time tRP: 40 (entspricht 16.67ns)
- Active-to-Precharge Time tRAS: 77 (entspricht 32.08ns)
- Spannung: 1.1V
- Modulhöhe: 32mm
- Standard-SPD
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Samsung M321R2GA3BB6-CQK Speichermodul 16 GB 2 x 8 GB DDR5 4800 MHz ECC
Artikelnr. AGX1734526 Herstellernr. M321R2GA3BB6-CQK
101,38 €
- Typ: DDR5 RDIMM 288-Pin, reg ECC, on-die ECC
- Übertragung: 4800MT/s (4800MHz effektiv - abgeleitet von 2400MHz I/O-Takt mit Double Data Rate)
- Speichertakt: 300MHz (intern)
- Module: 1x 16GB
- JEDEC: PC5-38400R
- Ranks/Bänke: single rank, x8
- CAS Latency CL: 40 (entspricht 16.67ns)
- Row-to-Column Delay tRCD: 40 (entspricht 16.67ns)
- Row Precharge Time tRP: 40 (entspricht 16.67ns)
- Active-to-Precharge Time tRAS: 77 (entspricht 32.08ns)
- Spannung: 1.1V
- Modulhöhe: 32mm
- Standard-SPD
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Samsung M321RAGA0B20-CWK Speichermodul 128 GB 1 x 128 GB DDR5 4800 MHz ECC
Artikelnr. AGX1669856 Herstellernr. M321RAGA0B20-CWK
1.328,22 €
- Typ: DDR5 RDIMM 288-Pin, reg ECC, on-die ECC
- Übertragung: 4800MT/s (4800MHz effektiv - abgeleitet von 2400MHz I/O-Takt mit Double Data Rate)
- Speichertakt: 300MHz (intern)
- Module: 1x 128GB
- JEDEC: PC5-38400R
- Ranks/Bänke: quad rank, x4
- CAS Latency CL: 40 (entspricht 16.67ns)
- Spannung: 1.1V
- Modulhöhe: 32mm
- Standard-SPD
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Samsung M324R2GA3BB0-CQK Speichermodul 16 GB 1 x 16 GB DDR5 4800 MHz ECC
Artikelnr. AGX1730001 Herstellernr. M324R2GA3BB0-CQK
132,21 €
Samsung M324R2GA3BB0-CQK. Komponente für: PC / Server, Speicherkapazität: 16 GB, Speicherlayout (Module x Größe): 1 x 16 GB, Interner Speichertyp: DDR5, Speichertaktfrequenz: 4800 MHz, Memory Formfaktor: 288-pin DIMM, CAS Latenz: 22, ECC
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Samsung M321R4GA3BB6-CQK Speichermodul 32 GB 1 x 32 GB DDR5 4800 MHz ECC
Artikelnr. AGX1614137 Herstellernr. M321R4GA3BB6-CQK
170,85 €
- Typ: DDR5 RDIMM 288-Pin, reg ECC, on-die ECC
- Übertragung: 4800MT/s (4800MHz effektiv - abgeleitet von 2400MHz I/O-Takt mit Double Data Rate)
- Speichertakt: 300MHz (intern)
- Module: 1x 32GB
- JEDEC: PC5-38400R
- Ranks/Bänke: dual rank, x8
- CAS Latency CL: 40 (entspricht 16.67ns)
- Row-to-Column Delay tRCD: 40 (entspricht 16.67ns)
- Row Precharge Time tRP: 40 (entspricht 16.67ns)
- Active-to-Precharge Time tRAS: 77 (entspricht 32.08ns)
- Spannung: 1.1V
- Modulhöhe: 32mm
- Standard-SPD
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Samsung M323R2GA3BB0-CQK Speichermodul 16 GB 1 x 16 GB DDR5 4800 MHz
Artikelnr. AGX1525114 Herstellernr. M323R2GA3BB0-CQK
98,41 €
- Typ: DDR5 DIMM 288-Pin, on-die ECC
- Takt: 4800MHz
- Module: 1x 16GB
- JEDEC: PC5-38400U
- Ranks/Bänke: single rank, x8
- CAS Latency CL: 40 (entspricht 16.67ns)
- Row-to-Column Delay tRCD: 40 (entspricht 16.67ns)
- Row Precharge Time tRP: 40 (entspricht 16.67ns)
- Active-to-Precharge Time tRAS: 77 (entspricht 32.08ns)
- Spannung: 1.1V
- Modulhöhe: 32mm
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Samsung M323R1GB4BB0-CQK Speichermodul 8 GB 1 x 8 GB DDR5 4800 MHz
Artikelnr. AGX1614139 Herstellernr. M323R1GB4BB0-CQK
39,50 €
- Typ: DDR5 DIMM 288-Pin, on-die ECC
- Übertragung: 4800MT/s (4800MHz effektiv - abgeleitet von 2400MHz I/O-Takt mit Double Data Rate)
- Speichertakt: 300MHz (intern)
- Module: 1x 8GB
- JEDEC: PC5-38400U
- Ranks/Bänke: single rank, x16
- CAS Latency CL: 40 (entspricht 16.67ns)
- Row-to-Column Delay tRCD: 40 (entspricht 16.67ns)
- Row Precharge Time tRP: 40 (entspricht 16.67ns)
- Active-to-Precharge Time tRAS: 77 (entspricht 32.08ns)
- Spannung: 1.1V
- Modulhöhe: 32mm
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Samsung M321R4GA0BB0-CQK Speichermodul 32 GB 1 x 32 GB DDR5 4800 MHz ECC
Artikelnr. AGX1669857 Herstellernr. M321R4GA0BB0-CQK
188,02 €
Samsung M321R4GA0BB0-CQK. Komponente für: PC / Server, Speicherkapazität: 32 GB, Speicherlayout (Module x Größe): 1 x 32 GB, Interner Speichertyp: DDR5, Speichertaktfrequenz: 4800 MHz, Memory Formfaktor: 288-pin DIMM, CAS Latenz: 40, ECC
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