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Samsung M393A2K40EB3-CWE Speichermodul 16 GB 1 x 16 GB DDR4 3200 MHz ECC
Samsung M393A2K40EB3-CWE Speichermodul 16 GB 1 x 16 GB DDR4 3200 MHz ECC
Artikelnr. AGX1729978   Herstellernr. M393A2K40EB3-CWE
65,39 €

  • Typ: DDR4 RDIMM 288-Pin, reg ECC
  • Übertragung: 3200MT/s (3200MHz effektiv - abgeleitet von 1600MHz I/O-Takt mit Double Data Rate)
  • Speichertakt: 400MHz (intern)
  • Module: 1x 16GB
  • JEDEC: PC4-25600R
  • Ranks/Bänke: single rank, x4
  • CAS Latency CL: 22 (entspricht 13.75ns)
  • Row-to-Column Delay tRCD: 22 (entspricht 13.75ns)
  • Row Precharge Time tRP: 22 (entspricht 13.75ns)
  • Spannung: 1.2V
  • Modulhöhe: 31.25mm
  • Standard-SPD
  • weitere Informationen
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Abholung/ Versand möglich morgen, den 22.11
Samsung M386AAG40BM3-CWE Speichermodul 128 GB 1 x 128 GB DDR4 3200 MHz
Samsung M386AAG40BM3-CWE Speichermodul 128 GB 1 x 128 GB DDR4 3200 MHz
Artikelnr. AGX1729985   Herstellernr. M386AAG40BM3-CWE
765,94 €

  • Typ: DDR4 LRDIMM 288-Pin, ECC
  • Übertragung: 3200MT/s (3200MHz effektiv - abgeleitet von 1600MHz I/O-Takt mit Double Data Rate)
  • Speichertakt: 400MHz (intern)
  • Module: 1x 128GB
  • JEDEC: PC4-25600L
  • Ranks/Bänke: quad rank, x4
  • CAS Latency CL: 22 (entspricht 13.75ns)
  • Row-to-Column Delay tRCD: 22 (entspricht 13.75ns)
  • Row Precharge Time tRP: 22 (entspricht 13.75ns)
  • Spannung: 1.2V
  • Modulhöhe: 31.25mm
  • Standard-SPD
  • weitere Informationen
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DDR4RAM 16GB DDR4-2666 Samsung R reg ECC, CL19-19-19
DDR4RAM 16GB DDR4-2666 Samsung R reg ECC, CL19-19-19
Artikelnr. A0440353   Herstellernr. M393A2K40CB2-CTD
56,16 €

  • Typ: DDR4 RDIMM 288-Pin, reg ECC
  • Übertragung: 2666MT/s (2666MHz effektiv - abgeleitet von 1333MHz I/O-Takt mit Double Data Rate)
  • Speichertakt: 333MHz (intern)
  • Module: 1x 16GB
  • JEDEC: PC4-21300R
  • Ranks/Bänke: single rank, x4
  • CAS Latency CL: 19 (entspricht 14.25ns)
  • Row-to-Column Delay tRCD: 19 (entspricht 14.25ns)
  • Row Precharge Time tRP: 19 (entspricht 14.25ns)
  • Spannung: 1.2V
  • Modulhöhe: 31.25mm
  • Standard-SPD
  • weitere Informationen
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DDR4RAM 32GB DDR4-2933 Samsung RDIMM reg ECC, CL21-21-21
DDR4RAM 32GB DDR4-2933 Samsung RDIMM reg ECC, CL21-21-21
Artikelnr. A0440484   Herstellernr. M393A4K40CB2-CVF
109,83 €

  • Typ: DDR4 RDIMM 288-Pin, reg ECC
  • Übertragung: 2933MT/s (2933MHz effektiv - abgeleitet von 1466.50MHz I/O-Takt mit Double Data Rate)
  • Speichertakt: 367MHz (intern)
  • Module: 1x 32GB
  • JEDEC: PC4-23466R
  • Ranks/Bänke: dual rank, x4
  • CAS Latency CL: 21 (entspricht 14.32ns)
  • Row-to-Column Delay tRCD: 21 (entspricht 14.32ns)
  • Row Precharge Time tRP: 21 (entspricht 14.32ns)
  • Spannung: 1.2V
  • Modulhöhe: 31.25mm
  • Standard-SPD
  • weitere Informationen
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DDR4RAM 64GB DDR4-2933 Samsung RDIMM reg ECC, CL21-21-21 bulk
DDR4RAM 64GB DDR4-2933 Samsung RDIMM reg ECC, CL21-21-21 bulk
Artikelnr. A0440529   Herstellernr. M393A8G40MB2-CVF
205,38 €

  • Typ: DDR4 RDIMM 288-Pin, reg ECC
  • Übertragung: 2933MT/s (2933MHz effektiv - abgeleitet von 1466.50MHz I/O-Takt mit Double Data Rate)
  • Speichertakt: 367MHz (intern)
  • Module: 1x 64GB
  • JEDEC: PC4-23466R
  • Ranks/Bänke: dual rank, x4
  • CAS Latency CL: 21 (entspricht 14.32ns)
  • Row-to-Column Delay tRCD: 21 (entspricht 14.32ns)
  • Row Precharge Time tRP: 21 (entspricht 14.32ns)
  • Spannung: 1.2V
  • Modulhöhe: 31.25mm
  • Standard-SPD
  • weitere Informationen
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DDR4RAM 64GB DDR4-3200 Samsung RDIMM reg ECC, CL22-22-22
DDR4RAM 64GB DDR4-3200 Samsung RDIMM reg ECC, CL22-22-22
Artikelnr. A0440647   Herstellernr. M393A8G40AB2-CWE
203,55 €

  • Typ: DDR4 RDIMM 288-Pin, reg ECC
  • Übertragung: 3200MT/s (3200MHz effektiv - abgeleitet von 1600MHz I/O-Takt mit Double Data Rate)
  • Speichertakt: 400MHz (intern)
  • Module: 1x 64GB
  • JEDEC: PC4-25600R
  • Ranks/Bänke: dual rank, x4
  • CAS Latency CL: 22 (entspricht 13.75ns)
  • Row-to-Column Delay tRCD: 22 (entspricht 13.75ns)
  • Row Precharge Time tRP: 22 (entspricht 13.75ns)
  • Spannung: 1.2V
  • Modulhöhe: 31.25mm
  • Standard-SPD
  • weitere Informationen
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DDR4RAM 32GB DDR4-3200 Samsung RDIMM reg ECC, CL22-22-22
DDR4RAM 32GB DDR4-3200 Samsung RDIMM reg ECC, CL22-22-22
Artikelnr. A0440700   Herstellernr. M393A4K40DB3-CWE
109,83 €

  • Typ: DDR4 RDIMM 288-Pin, reg ECC
  • Übertragung: 3200MT/s (3200MHz effektiv - abgeleitet von 1600MHz I/O-Takt mit Double Data Rate)
  • Speichertakt: 400MHz (intern)
  • Module: 1x 32GB
  • JEDEC: PC4-25600R
  • Ranks/Bänke: dual rank, x4
  • CAS Latency CL: 22 (entspricht 13.75ns)
  • Row-to-Column Delay tRCD: 22 (entspricht 13.75ns)
  • Row Precharge Time tRP: 22 (entspricht 13.75ns)
  • Spannung: 1.2V
  • Modulhöhe: 31.25mm
  • Standard-SPD
  • weitere Informationen
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DDR4RAM 32GB DDR4-3200 Samsung RDIMM reg ECC, CL22-22-22
DDR4RAM 32GB DDR4-3200 Samsung RDIMM reg ECC, CL22-22-22
Artikelnr. A0440758   Herstellernr. M393A4K40EB3-CWE
88,88 €

  • Typ: DDR4 RDIMM 288-Pin, reg ECC
  • Übertragung: 3200MT/s (3200MHz effektiv - abgeleitet von 1600MHz I/O-Takt mit Double Data Rate)
  • Speichertakt: 400MHz (intern)
  • Module: 1x 32GB
  • JEDEC: PC4-25600R
  • Ranks/Bänke: dual rank, x4
  • CAS Latency CL: 22 (entspricht 13.75ns)
  • Row-to-Column Delay tRCD: 22 (entspricht 13.75ns)
  • Row Precharge Time tRP: 22 (entspricht 13.75ns)
  • Spannung: 1.2V
  • Modulhöhe: 31.25mm
  • Standard-SPD
  • weitere Informationen
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DDR4RAM 16GB DDR4-3200 Samsung DIMM ECC, CL22-22-22
DDR4RAM 16GB DDR4-3200 Samsung DIMM ECC, CL22-22-22
Artikelnr. A0440761   Herstellernr. M391A2G43BB2-CWE
68,72 €

  • Typ: DDR4 DIMM 288-Pin, ECC
  • Übertragung: 3200MT/s (3200MHz effektiv - abgeleitet von 1600MHz I/O-Takt mit Double Data Rate)
  • Speichertakt: 400MHz (intern)
  • Module: 1x 16GB
  • JEDEC: PC4-25600E
  • Ranks/Bänke: dual rank, x8
  • CAS Latency CL: 22 (entspricht 13.75ns)
  • Row-to-Column Delay tRCD: 22 (entspricht 13.75ns)
  • Row Precharge Time tRP: 22 (entspricht 13.75ns)
  • Spannung: 1.2V
  • Modulhöhe: 31.25mm
  • Standard-SPD
  • weitere Informationen
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DDR4RAM 32GB DDR4-3200 Samsung DIMM, CL22-22-22
DDR4RAM 32GB DDR4-3200 Samsung DIMM, CL22-22-22
Artikelnr. A0440790   Herstellernr. M378A4G43AB2-CWE
84,43 €

  • Typ: DDR4 DIMM 288-Pin
  • Übertragung: 3200MT/s (3200MHz effektiv - abgeleitet von 1600MHz I/O-Takt mit Double Data Rate)
  • Speichertakt: 400MHz (intern)
  • Module: 1x 32GB
  • JEDEC: PC4-25600U
  • Ranks/Bänke: dual rank, x8
  • CAS Latency CL: 22 (entspricht 13.75ns)
  • Row-to-Column Delay tRCD: 22 (entspricht 13.75ns)
  • Row Precharge Time tRP: 22 (entspricht 13.75ns)
  • Spannung: 1.2V
  • Modulhöhe: 31.25mm
  • Standard-SPD
  • weitere Informationen
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DDR4RAM 16GB DDR4-3200 Samsung DIMM ECC, CL22-22-22
DDR4RAM 16GB DDR4-3200 Samsung DIMM ECC, CL22-22-22
Artikelnr. A0440797   Herstellernr. M391A2K43DB1-CWE
75,27 €

  • Typ: DDR4 DIMM 288-Pin, ECC
  • Übertragung: 3200MT/s (3200MHz effektiv - abgeleitet von 1600MHz I/O-Takt mit Double Data Rate)
  • Speichertakt: 400MHz (intern)
  • Module: 1x 16GB
  • JEDEC: PC4-25600E
  • Ranks/Bänke: dual rank, x8
  • CAS Latency CL: 22 (entspricht 13.75ns)
  • Row-to-Column Delay tRCD: 22 (entspricht 13.75ns)
  • Row Precharge Time tRP: 22 (entspricht 13.75ns)
  • Spannung: 1.2V
  • Modulhöhe: 31.25mm
  • Standard-SPD
  • weitere Informationen
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DDR4RAM 64GB DDR4-3200 Samsung RDIMM reg ECC, CL22-22-22 retail
DDR4RAM 64GB DDR4-3200 Samsung RDIMM reg ECC, CL22-22-22 retail
Artikelnr. A0440835   Herstellernr. M393A8G40BB4-CWE
205,38 €

  • Typ: DDR4 RDIMM 288-Pin, reg ECC
  • Übertragung: 3200MT/s (3200MHz effektiv - abgeleitet von 1600MHz I/O-Takt mit Double Data Rate)
  • Speichertakt: 400MHz (intern)
  • Module: 1x 64GB
  • JEDEC: PC4-25600R
  • Ranks/Bänke: dual rank, x4
  • CAS Latency CL: 22 (entspricht 13.75ns)
  • Row-to-Column Delay tRCD: 22 (entspricht 13.75ns)
  • Row Precharge Time tRP: 22 (entspricht 13.75ns)
  • Spannung: 1.2V
  • Modulhöhe: 31.25mm
  • Standard-SPD
  • weitere Informationen
Ware lagernd
Abholung/ Versand möglich Freitag, den 22.11
Samsung M386A8K40DM2-CWE Speichermodul 64 GB 1 x 64 GB DDR4 3200 MHz
Samsung M386A8K40DM2-CWE Speichermodul 64 GB 1 x 64 GB DDR4 3200 MHz
Artikelnr. AGX1381829   Herstellernr. M386A8K40DM2-CWE
248,71 €

  • Typ: DDR4 LRDIMM 288-Pin, ECC
  • Übertragung: 3200MT/s (3200MHz effektiv - abgeleitet von 1600MHz I/O-Takt mit Double Data Rate)
  • Speichertakt: 400MHz (intern)
  • Module: 1x 64GB
  • JEDEC: PC4-25600L
  • Ranks/Bänke: quad rank, x4
  • CAS Latency CL: 22 (entspricht 13.75ns)
  • Row-to-Column Delay tRCD: 22 (entspricht 13.75ns)
  • Row Precharge Time tRP: 22 (entspricht 13.75ns)
  • Spannung: 1.2V
  • Modulhöhe: 31.25mm
  • Standard-SPD
  • weitere Informationen
Im Versandlager
Abholung/ Versand möglich am Mittwoch, den 27.11
DDR4RAM 8GB DDR4-3200 Samsung DIMM ECC, CL22-22-22
DDR4RAM 8GB DDR4-3200 Samsung DIMM ECC, CL22-22-22
Artikelnr. A0440659   Herstellernr. M391A1K43DB2-CWE
47,12 €

  • Typ: DDR4 DIMM 288-Pin, ECC
  • Übertragung: 3200MT/s (3200MHz effektiv - abgeleitet von 1600MHz I/O-Takt mit Double Data Rate)
  • Speichertakt: 400MHz (intern)
  • Module: 1x 8GB
  • JEDEC: PC4-25600E
  • Ranks/Bänke: single rank, x8
  • CAS Latency CL: 22 (entspricht 13.75ns)
  • Row-to-Column Delay tRCD: 22 (entspricht 13.75ns)
  • Row Precharge Time tRP: 22 (entspricht 13.75ns)
  • Spannung: 1.2V
  • Modulhöhe: 31.25mm
  • Standard-SPD
  • weitere Informationen
Im Versandlager
Abholung/ Versand möglich am Mittwoch, den 27.11
DDR4RAM 32GB DDR4-3200 Samsung DIMM ECC, CL22
DDR4RAM 32GB DDR4-3200 Samsung DIMM ECC, CL22
Artikelnr. A3034393   Herstellernr. M391A4G43BB1-CWE
138,82 €

  • Typ: DDR4 DIMM 288-Pin, ECC
  • Übertragung: 3200MT/s (3200MHz effektiv - abgeleitet von 1600MHz I/O-Takt mit Double Data Rate)
  • Speichertakt: 400MHz (intern)
  • Module: 1x 32GB
  • JEDEC: PC4-25600E
  • Ranks/Bänke: dual rank, x8
  • CAS Latency CL: 22 (entspricht 13.75ns)
  • Spannung: 1.2V
  • Modulhöhe: 31.25mm
  • weitere Informationen
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Abholung/ Versand möglich Freitag, den 22.11
DDR4RAM 4GB DDR4-3200 Samsung DIMM, CL22-22-22
DDR4RAM 4GB DDR4-3200 Samsung DIMM, CL22-22-22
Artikelnr. A0440771   Herstellernr. M378A5244CB0-CWE
21,99 €

  • Typ: DDR4 DIMM 288-Pin
  • Takt: 3200MHz
  • Module: 1x 4GB
  • JEDEC: PC4-25600U
  • Ranks/Bänke: single rank, x16
  • CAS Latency CL: 22 (entspricht 13.75ns)
  • Row-to-Column Delay tRCD: 22 (entspricht 13.75ns)
  • Row Precharge Time tRP: 22 (entspricht 13.75ns)
  • Spannung: 1.2V
  • Modulhöhe: 31.25mm
  • Standard-SPD, Samsung C-Die
  • weitere Informationen
Im Versandlager
Abholung/ Versand möglich am Mittwoch, den 27.11
DDR4RAM 16GB DDR4-3200 Samsung RDIMM reg ECC, CL22-22-22, bulk
DDR4RAM 16GB DDR4-3200 Samsung RDIMM reg ECC, CL22-22-22, bulk
Artikelnr. A0440796   Herstellernr. M393A2K43EB3-CWE
72,00 €

  • Typ: DDR4 RDIMM 288-Pin, reg ECC
  • Übertragung: 3200MT/s (3200MHz effektiv - abgeleitet von 1600MHz I/O-Takt mit Double Data Rate)
  • Speichertakt: 400MHz (intern)
  • Module: 1x 16GB
  • JEDEC: PC4-25600R
  • Ranks/Bänke: dual rank, x8
  • CAS Latency CL: 22 (entspricht 13.75ns)
  • Row-to-Column Delay tRCD: 22 (entspricht 13.75ns)
  • Row Precharge Time tRP: 22 (entspricht 13.75ns)
  • Spannung: 1.2V
  • Modulhöhe: 31.25mm
  • Standard-SPD
  • weitere Informationen
Ware lagernd
Abholung/ Versand möglich Freitag, den 22.11
DDR4RAM 16GB DDR4-3200 Samsung DIMM, CL22-22-22
DDR4RAM 16GB DDR4-3200 Samsung DIMM, CL22-22-22
Artikelnr. A0440830   Herstellernr. M378A2K43EB1-CWE
55,63 €

  • Typ: DDR4 DIMM 288-Pin
  • Übertragung: 3200MT/s (3200MHz effektiv - abgeleitet von 1600MHz I/O-Takt mit Double Data Rate)
  • Speichertakt: 400MHz (intern)
  • Module: 1x 16GB
  • JEDEC: PC4-25600U
  • Ranks/Bänke: dual rank, x8
  • CAS Latency CL: 22 (entspricht 13.75ns)
  • Row-to-Column Delay tRCD: 22 (entspricht 13.75ns)
  • Row Precharge Time tRP: 22 (entspricht 13.75ns)
  • Spannung: 1.2V
  • Modulhöhe: 31.25mm
  • Standard-SPD
  • weitere Informationen
Im Versandlager
Abholung/ Versand möglich am Mittwoch, den 27.11
DDR4RAM 8GB DDR4-3200 Samsung RDIMM reg ECC, CL22-22-22
DDR4RAM 8GB DDR4-3200 Samsung RDIMM reg ECC, CL22-22-22
Artikelnr. A0440837   Herstellernr. M393A1K43DB2-CWE
47,12 €

  • Typ: DDR4 RDIMM 288-Pin, reg ECC
  • Übertragung: 3200MT/s (3200MHz effektiv - abgeleitet von 1600MHz I/O-Takt mit Double Data Rate)
  • Speichertakt: 400MHz (intern)
  • Module: 1x 8GB
  • JEDEC: PC4-25600R
  • Ranks/Bänke: single rank, x8
  • CAS Latency CL: 22 (entspricht 13.75ns)
  • Row-to-Column Delay tRCD: 22 (entspricht 13.75ns)
  • Row Precharge Time tRP: 22 (entspricht 13.75ns)
  • Spannung: 1.2V
  • Modulhöhe: 31.25mm
  • Standard-SPD
  • weitere Informationen
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Abholung/ Versand möglich am Mittwoch, den 27.11
Samsung 8GB DDR4-2400 Speichermodul 1 x 8 GB 2400 MHz
Samsung 8GB DDR4-2400 Speichermodul 1 x 8 GB 2400 MHz
Artikelnr. AGX0342197   Herstellernr. M378A1K43CB2-CRC
35,06 €

  • Typ: DDR4 DIMM 288-Pin
  • Ranks/Bänke: single rank, x8
  • Module: 1x 8GB
  • JEDEC: PC4-19200U
  • CAS Latency CL: 17 (entspricht 14.17ns)
  • Row-to-Column Delay tRCD: 17 (entspricht 14.17ns)
  • Row Precharge Time tRP: 17 (entspricht 14.17ns)
  • Spannung: 1.2V
  • Modulhöhe: 31.25mm
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