- Kapazität: 512GB (entspricht ca. 476.84GiB, weiterführende Informationen hierzu)
- Bauform: Solid State Module (SSM)
- Formfaktor: M.2 2280
- Schnittstelle: M.2/M-Key (PCIe 3.0 x4)
- Lesen: 1775MB/s
- Schreiben: 560MB/s
- IOPS 4K: 128.5k lesend, 128k schreibend
- Speichermodule: 3D-NAND TLC, Micron
- TBW: 288TB (entspricht TBW von 562.5TB pro TB Kapazität)
- Zuverlässigkeitsprognose: 1.6 Mio. Stunden (MTBF)
- Controller: Silicon Motion SM2260, 8 Kanäle
- Protokoll: NVMe 1.2
- Datenschutzfunktionen: 256bit AES, TCG Opal 2.0
- L1.2 Low-Power-Standby
weitere Informationen
- Kapazität: 512GB (entspricht ca. 476.84GiB, weiterführende Informationen hierzu)
- Bauform: Solid State Module (SSM)
- Formfaktor: M.2 2280
- Schnittstelle: M.2/B-M-Key (SATA 6Gb/s)
- Lesen: 550MB/s
- Schreiben: 500MB/s SLC-Cached
- IOPS 4K: 75k lesend, 85k schreibend
- Speichermodule: 3D-NAND TLC, Intel, 16nm
- TBW: 288TB (entspricht TBW von 562.5TB pro TB Kapazität)
- Zuverlässigkeitsprognose: 1.6 Mio. Stunden (MTBF)
- Controller: Silicon Motion SM2259, 4 Kanäle
- Cache: DRAM-Cache Speichervolumen nicht erfasst oder unterschiedliche Größen möglich (LPDDR3), SLC-Cache
- Protokoll: AHCI
- Datenschutzfunktionen: 256bit AES
weitere Informationen
- Kapazität: 480GB (entspricht ca. 447.03GiB, weiterführende Informationen hierzu)
- Bauform: Solid State Module (SSM)
- Formfaktor: M.2 2280
- Schnittstelle: M.2/B-M-Key (SATA)
- Lesen: 555MB/s
- Schreiben: 480MB/s
- IOPS 4K: 91k lesend, 18k schreibend
- Speichermodule: 3D-NAND TLC, Micron, 64 Layer (Generation 2)
- TBW: 1.2PB
- Zuverlässigkeitsprognose: 2 Mio. Stunden (MTBF)
- Controller: Solidigm (Intel)
- Protokoll: AHCI
- Datenschutzfunktionen: 256bit AES, Power-Loss Protection
weitere Informationen
- Kapazität: 256GB
- Bauform: Solid State Module (SSM)
- Formfaktor: M.2 2280
- Schnittstelle: M.2/M-Key (PCIe 3.0 x4)
- Lesen: 1570MB/s
- Schreiben: 540MB/s
- IOPS 4K: 71k lesend, 112k schreibend
- Speichermodule: 3D-NAND TLC, Micron
- TBW: 144TB
- Zuverlässigkeitsprognose: 1.6 Mio. Stunden (MTBF)
- Controller: Silicon Motion SM2260, 8 Kanäle
- Protokoll: NVMe 1.2
- Datenschutzfunktionen: 256bit AES
- L1.2 Low-Power-Standby
weitere Informationen
- Kapazität: 1TB (entspricht ca. 931.32GiB bzw. 0.91TiB, weiterführende Informationen hierzu)
- Bauform: Solid State Module (SSM)
- Formfaktor: M.2 2280
- Schnittstelle: M.2/M-Key (PCIe 3.0 x4)
- Lesen: 1800MB/s
- Schreiben: 1800MB/s SLC-Cached
- IOPS 4K: 150k lesend, 220k schreibend
- Speichermodule: 3D-NAND QLC, Micron, 64 Layer (Generation 2)
- TBW: 200TB (entspricht TBW von 200TB pro TB Kapazität)
- Zuverlässigkeitsprognose: 1.6 Mio. Stunden (MTBF)
- Controller: Silicon Motion SM2263EN, 4 Kanäle
- Cache: 256MB (DDR3L-1600), SLC-Cache (dynamisch ab 12GB bis 140GB)
- Protokoll: NVMe 1.3
- Datenschutzfunktionen: 256bit AES
weitere Informationen
- Kapazität: 512GB (entspricht ca. 476.84GiB, weiterführende Informationen hierzu)
- Bauform: Solid State Module (SSM)
- Formfaktor: M.2 2280
- Schnittstelle: M.2/M-Key (PCIe 3.0 x4)
- Lesen: 1500MB/s
- Schreiben: 1000MB/s SLC-Cached
- IOPS 4K: 90k lesend, 220k schreibend
- Speichermodule: 3D-NAND QLC, Micron, 64 Layer (Generation 2)
- TBW: 100TB (entspricht TBW von 195.3TB pro TB Kapazität)
- Zuverlässigkeitsprognose: 1.6 Mio. Stunden (MTBF)
- Controller: Silicon Motion SM2263EN, 4 Kanäle
- Cache: 256MB (DDR3L-1600), SLC-Cache (dynamisch ab 6GB bis 76GB)
- Protokoll: NVMe 1.3
- Datenschutzfunktionen: 256bit AES
weitere Informationen
- Kapazität: 480GB (entspricht ca. 447.03GiB, weiterführende Informationen hierzu)
- Bauform: Solid State Module (SSM)
- Formfaktor: M.2 2280
- Schnittstelle: M.2/B-M-Key (SATA)
- Lesen: 555MB/s
- Schreiben: 480MB/s
- IOPS 4K: 91k lesend, 18k schreibend
- Speichermodule: 3D-NAND TLC, Micron, 64 Layer (Generation 2)
- TBW: 1.2PB
- Zuverlässigkeitsprognose: 2 Mio. Stunden (MTBF)
- Controller: Solidigm (Intel)
- Protokoll: AHCI
- Datenschutzfunktionen: 256bit AES, Power-Loss Protection
weitere Informationen
- Kapazität: 16GB (entspricht ca. 14.9GiB, weiterführende Informationen hierzu)
- Bauform: Solid State Module (SSM)
- Formfaktor: M.2 2280
- Schnittstelle: M.2/B-M-Key (PCIe 3.0 x2)
- Lesen: 900MB/s
- Schreiben: 145MB/s
- IOPS 4K: 190k lesend, 35k schreibend
- Speichermodule: 3D XPoint SLC, Micron
- TBW: 182.5TB (entspricht TBW von 11406.2TB pro TB Kapazität)
- Zuverlässigkeitsprognose: 1.6 Mio. Stunden (MTBF)
- Controller: Intel
- Protokoll: NVMe 1.1
weitere Informationen
- Kapazität: 256GB
- Bauform: Solid State Module (SSM)
- Formfaktor: M.2 2280
- Schnittstelle: M.2/M-Key (PCIe 3.0 x4)
- Lesen: 1570MB/s
- Schreiben: 540MB/s
- IOPS 4K: 71k lesend, 112k schreibend
- Speichermodule: 3D-NAND TLC, Micron
- TBW: 144TB
- Zuverlässigkeitsprognose: 1.6 Mio. Stunden (MTBF)
- Controller: Silicon Motion SM2260, 8 Kanäle
- Protokoll: NVMe 1.2
- Datenschutzfunktionen: 256bit AES
- L1.2 Low-Power-Standby
weitere Informationen
- Bauform: Solid State Module (SSM)
- Formfaktor: M.2 2280
- Schnittstelle: M.2/B-M-Key (SATA 6Gb/s)
- Lesen: 550MB/s
- Schreiben: 500MB/s SLC-Cached
- IOPS 4K lesen/schreiben: 75k/85k
- Speichermodule: 3D-NAND TLC, Intel, 16nm
- TBW: 144TB
- Zuverlässigkeitsprognose: 1.6 Mio. Stunden (MTBF)
- Controller: Silicon Motion SM2259, 4 Kanäle
- Protokoll: AHCI
- Datenschutzfunktionen: 256bit AES
- Abmessungen: 80x22x3.5mm
weitere Informationen
Intel 540s. SSD Speicherkapazität: 180 GB, SSD-Formfaktor: M.2, Lesegeschwindigkeit: 560 MB/s, Schreibgeschwindigkeit: 475 MB/s, Datenübertragungsrate: 6 Gbit/s
Intel 530. SSD Speicherkapazität: 240 GB, Lesegeschwindigkeit: 540 MB/s, Schreibgeschwindigkeit: 490 MB/s, Datenübertragungsrate: 6 Gbit/s
Intel SSDSCKJW120H601. SSD Speicherkapazität: 120 GB, SSD-Formfaktor: M.2, Lesegeschwindigkeit: 540 MB/s, Schreibgeschwindigkeit: 480 MB/s, Datenübertragungsrate: 6 Gbit/s
- Bauform: Solid State Module (SSM)
- Formfaktor: M.2 2280
- Schnittstelle: M.2/B-M-Key (SATA 6Gb/s)
- Lesen: 540MB/s
- Schreiben: 490MB/s
- IOPS 4K lesen/schreiben: 41k/80k
- Speichermodule: 2D-NAND MLC, IMFT, 16nm
- MTBF: 1.2 Mio. Stunden
- Controller: SandForce SF-2281
- Protokoll: AHCI
- Datenschutzfunktionen: 256bit AES
weitere Informationen
Intel 600p. SSD Speicherkapazität: 512 GB, SSD-Formfaktor: M.2, Lesegeschwindigkeit: 1775 MB/s, Schreibgeschwindigkeit: 560 MB/s, Komponente für: PC/Laptop
Intel Consumer SSDPEKNW020T8X1. SSD Speicherkapazität: 2,05 TB, SSD-Formfaktor: M.2, Komponente für: Server/Arbeitsstation
- Bauform: Solid State Module (SSM)
- Formfaktor: M.2 2280
- Schnittstelle: M.2/B-M-Key (SATA)
- Lesen: 555MB/s
- Schreiben: 275MB/s
- IOPS 4K lesen/schreiben: 87k/16k
- Speichermodule: 3D-NAND TLC, Micron, 64 Layer (Generation 2)
- TBW: 900TB
- Zuverlässigkeitsprognose: 2 Mio. Stunden (MTBF)
- Controller: Intel
- Protokoll: AHCI
- Datenschutzfunktionen: 256bit AES, Power-Loss Protection
weitere Informationen
Intel Optane HBRPEKNX0101A01. SSD Speicherkapazität: 256 GB, SSD-Formfaktor: M.2, Komponente für: PC/Laptop
Intel Optane HBRPEKNX0202A01. SSD Speicherkapazität: 512 GB, SSD-Formfaktor: M.2, Komponente für: PC/Laptop
- Kapazität: 2TB (entspricht ca. 1862.65GiB bzw. 1.82TiB, weiterführende Informationen hierzu)
- Bauform: Solid State Module (SSM)
- Formfaktor: M.2 2280
- Schnittstelle: M.2/M-Key (PCIe 3.0 x4)
- Lesen: 3500MB/s
- Schreiben: 2700MB/s SLC-Cached
- IOPS 4K: 310k lesend, 340k schreibend
- Speichermodule: 3D-NAND QLC, Intel, 144 Layer
- TBW: 740TB
- Zuverlässigkeitsprognose: 1.6 Mio. Stunden (MTBF)
- Controller: Silicon Motion SM2265G, 8 Kanäle
- Cache: 256MB (DDR3L-1866), SLC-Cache (dynamisch ab 24GB bis 280GB)
- Protokoll: NVMe 1.4
- Datenschutzfunktionen: 256bit AES