Filter
- Typ: DDR4 RDIMM 288-Pin, reg ECC
- Übertragung: 2666MT/s (2666MHz effektiv - abgeleitet von 1333MHz I/O-Takt mit Double Data Rate)
- Speichertakt: 333MHz (intern)
- Module: 1x 16GB
- JEDEC: PC4-21300R
- Ranks/Bänke: dual rank, x8
- CAS Latency CL: 19 (entspricht 14.25ns)
- Row-to-Column Delay tRCD: 19 (entspricht 14.25ns)
- Row Precharge Time tRP: 19 (entspricht 14.25ns)
- Spannung: 1.2V
- Modulhöhe: 31.25mm
- Standard-SPD
weitere Informationen
- Typ: DDR4 RDIMM 288-Pin, reg ECC
- Takt: 3200MHz
- Module: 1x 16GB
- JEDEC: PC4-25600R
- Ranks/Bänke: dual rank, x8
- CAS Latency CL: 22 (entspricht ~13.75ns)
- Row-to-Column Delay tRCD: 22 (entspricht ~13.75ns)
- Row Precharge Time tRP: 22 (entspricht ~13.75ns)
- Spannung: 1.2V
- Modulhöhe: 31.25mm
- Standard-SPD
weitere Informationen
- Typ: DDR4 SO-DIMM 260-Pin
- Übertragung: 3200MT/s (3200MHz effektiv - abgeleitet von 1600MHz I/O-Takt mit Double Data Rate)
- Speichertakt: 400MHz (intern)
- Module: 1x 16GB
- JEDEC: PC4-25600S
- CAS Latency CL: 22 (entspricht 13.75ns)
- Row-to-Column Delay tRCD: 22 (entspricht 13.75ns)
- Row Precharge Time tRP: 22 (entspricht 13.75ns)
- Active-to-Precharge Time tRAS: 52 (entspricht 32.50ns)
- Spannung: 1.2V
- Modulhöhe: 30mm
- Standard-SPD
weitere Informationen
- Typ: DDR4 DIMM 288-Pin
- Übertragung: 3200MT/s (3200MHz effektiv - abgeleitet von 1600MHz I/O-Takt mit Double Data Rate)
- Speichertakt: 400MHz (intern)
- Module: 1x 8GB
- JEDEC: PC4-25600U
- CAS Latency CL: 16 (entspricht ~10.00ns)
- Row-to-Column Delay tRCD: 18 (entspricht ~11.25ns)
- Row Precharge Time tRP: 18 (entspricht ~11.25ns)
- Active-to-Precharge Time tRAS: 38 (entspricht ~23.75ns)
- Spannung: 1.35V
- Modulhöhe: 31.3mm
- Gehäuse: Heatspreader
- Intel XMP 2.0/AMD EXPO
weitere Informationen
- Typ: DDR4 RDIMM 288-Pin, reg ECC
- Takt: 2400MHz
- Module: 1x 32GB
- JEDEC: PC4-19200R
- Ranks/Bänke: dual rank, x4
- CAS Latency CL: 17 (entspricht 14.17ns)
- Row-to-Column Delay tRCD: 17 (entspricht 14.17ns)
- Row Precharge Time tRP: 17 (entspricht 14.17ns)
- Active-to-Precharge Time tRAS: 39 (entspricht 32.50ns)
- Spannung: 1.2V
- Modulhöhe: 31.25mm
- Standard-SPD
weitere Informationen
- Typ: DDR4 RDIMM 288-Pin, reg ECC
- Takt: 2400MHz
- Module: 1x 16GB
- JEDEC: PC4-19200R
- Ranks/Bänke: dual rank, x4
- CAS Latency CL: 17 (entspricht 14.17ns)
- Row-to-Column Delay tRCD: 17 (entspricht 14.17ns)
- Row Precharge Time tRP: 17 (entspricht 14.17ns)
- Active-to-Precharge Time tRAS: 39 (entspricht 32.50ns)
- Spannung: 1.2V
- Modulhöhe: 31.25mm
- Standard-SPD
weitere Informationen
- Typ: DDR4 SO-DIMM 260-Pin
- Takt: 2666MHz
- Module: 2x 8GB
- JEDEC: PC4-21300S
- CAS Latency CL: 16 (entspricht ~12.00ns)
- Spannung: 1.2V
- Modulhöhe: 30mm
- Standard-SPD
weitere Informationen
- Typ: DDR4 SO-DIMM 260-Pin
- Takt: 2666MHz
- Module: 2x 16GB
- JEDEC: PC4-21300S
- CAS Latency CL: 16 (entspricht 12.00ns)
- Spannung: 1.2V
- Modulhöhe: 30mm
- Standard-SPD
weitere Informationen
- Typ: DDR4 SO-DIMM 260-Pin
- Takt: 2666MHz
- Module: 2x 8GB
- JEDEC: PC4-21300S
- CAS Latency CL: 19 (entspricht 14.25ns)
- Row-to-Column Delay tRCD: 19 (entspricht 14.25ns)
- Row Precharge Time tRP: 19 (entspricht 14.25ns)
- Active-to-Precharge Time tRAS: 43 (entspricht 32.26ns)
- Spannung: 1.2V
- Modulhöhe: 30mm
- Standard-SPD
weitere Informationen
- Typ: DDR4 SO-DIMM 260-Pin
- Takt: 2666MHz
- Module: 2x 32GB
- JEDEC: PC4-21300S
- CAS Latency CL: 19 (entspricht 14.25ns)
- Row-to-Column Delay tRCD: 19 (entspricht 14.25ns)
- Row Precharge Time tRP: 19 (entspricht 14.25ns)
- Active-to-Precharge Time tRAS: 43 (entspricht 32.26ns)
- Spannung: 1.2V
- Modulhöhe: 30mm
- Standard-SPD
weitere Informationen
- Typ: DDR4 DIMM 288-Pin
- Takt: 3200MHz
- Module: 2x 32GB
- JEDEC: PC4-25600U
- CAS Latency CL: 16 (entspricht 10.00ns)
- Row-to-Column Delay tRCD: 20 (entspricht 12.50ns)
- Row Precharge Time tRP: 20 (entspricht 12.50ns)
- Active-to-Precharge Time tRAS: 40 (entspricht 25.00ns)
- Spannung: 1.35V
- Modulhöhe: 32mm
- Gehäuse: Heatspreader
- Standard-SPD
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DDR4-RAM: DDR4-RAM ist der aktuelle Standard für Arbeitsspeicher in modernen Computern. Er bietet eine höhere Leistung, eine höhere Speicherkapazität und eine verbesserte Energieeffizienz im Vergleich zu früheren DDR-RAM-Versionen.
Höhere Geschwindigkeit: DDR4-RAM bietet höhere Übertragungsgeschwindigkeiten im Vergleich zu DDR3-RAM. Dies ermöglicht schnellere Datenzugriffe und verbessert die Gesamtleistung des Systems.
Höhere Speicherkapazität: DDR4-RAM unterstützt höhere Speicherkapazitäten pro Modul im Vergleich zu DDR3-RAM. Dies ermöglicht es, größere Datenmengen zu speichern und anspruchsvollere Aufgaben auszuführen.
Verbesserte Energieeffizienz: DDR4-RAM verwendet eine niedrigere Betriebsspannung im Vergleich zu DDR3-RAM, was zu einer verbesserten Energieeffizienz führt. Dies trägt dazu bei, den Stromverbrauch zu senken und die Wärmeentwicklung im System zu reduzieren.
Erweiterte Funktionen: DDR4-RAM bietet auch erweiterte Funktionen wie Fehlerkorrekturcodes (ECC), die Datenintegrität verbessern und Fehler bei der Datenübertragung erkennen und korrigieren können.
Kompatibilität: DDR4-RAM ist nicht abwärtskompatibel mit älteren DDR-RAM-Versionen wie DDR3 oder DDR2. Um DDR4-RAM verwenden zu können, benötigen Sie ein Motherboard oder eine Laptop-Plattform, die speziell für DDR4-RAM entwickelt wurde.
Upgrade-Möglichkeit: DDR4-RAM bietet eine einfache Möglichkeit, den Arbeitsspeicher Ihres Systems zu erweitern oder zu verbessern. Durch das Hinzufügen von DDR4-RAM-Modulen können Sie die Systemleistung steigern, die Multitasking-Fähigkeit verbessern und eine reibungslose Ausführung anspruchsvoller Anwendungen ermöglichen.
DDR4-RAM ist derzeit der gängige Standard für Arbeitsspeicher in modernen Computern. Bevor Sie DDR4-RAM kaufen, sollten Sie sicherstellen, dass Ihr Motherboard oder Ihre Laptop-Plattform mit DDR4-RAM kompatibel ist und die spezifischen Geschwindigkeits- und Kapazitätsanforderungen erfüllt.