- Kapazität: 2TB (entspricht ca. 1862.65GiB bzw. 1.82TiB, weiterführende Informationen hierzu)
- Bauform: Solid State Module (SSM)
- Formfaktor: M.2 2280
- Schnittstelle: M.2/M-Key (PCIe 3.0 x4)
- Lesen: 3500MB/s
- Schreiben: 3300MB/s SLC-Cached
- IOPS 4K: 620k lesend, 560k schreibend
- Speichermodule: 3D-NAND TLC, Samsung, 96 Layer (V-NAND v5)
- TBW: 1.2PB (entspricht TBW von 600TB pro TB Kapazität)
- Zuverlässigkeitsprognose: 1.5 Mio. Stunden (MTBF)
- Controller: Samsung Phoenix/Elpis, 8 Kanäle
- Cache: 2GB (LPDDR4), SLC-Cache
- Protokoll: NVMe 1.3
- Datenschutzfunktionen: 256bit AES, TCG Opal 2.0
- L1.2 Low-Power-Standby
weitere Informationen
- Kapazität: 512GB (entspricht ca. 476.84GiB, weiterführende Informationen hierzu)
- Bauform: Solid State Module (SSM)
- Formfaktor: M.2 2280
- Schnittstelle: M.2/M-Key (PCIe 3.0 x4)
- Lesen: 3400MB/s
- Schreiben: 2700MB/s SLC-Cached
- IOPS 4K: 500k lesend, 600k schreibend
- Speichermodule: 3D-NAND TLC, 64 Layer
- TBW: 400TB (entspricht TBW von 781.2TB pro TB Kapazität)
- Cache: 512MB (DDR4), SLC-Cache
- Protokoll: NVMe 1.3
- Ergänzungen: Hinweis| Die Geschwindigkeitsangaben des Herstellers differieren je nachdem, welche Länderversion der Hersteller-Website betrachtet wird.Achtung| Unterschiedliche Versionen im Umlauf.
weitere Informationen
- Kapazität: 1TB (entspricht ca. 931.32GiB bzw. 0.91TiB, weiterführende Informationen hierzu)
- Bauform: Solid State Module (SSM)
- Formfaktor: M.2 2280
- Schnittstelle: M.2/M-Key (PCIe 3.0 x4)
- Lesen: 1700MB/s
- Schreiben: 1500MB/s SLC-Cached
- IOPS 4K: 160k lesend, 140k schreibend
- Speichermodule: 3D-NAND TLC
- TBW: 400TB (entspricht TBW von 400TB pro TB Kapazität)
- Zuverlässigkeitsprognose: 1 Mio. Stunden (MTBF)
- Cache: SLC-Cache
- Protokoll: NVMe 1.3
weitere Informationen
- Kapazität: 1TB (entspricht ca. 931.32GiB bzw. 0.91TiB, weiterführende Informationen hierzu)
- Bauform: Solid State Module (SSM)
- Formfaktor: M.2 2280
- Schnittstelle: M.2/M-Key (PCIe 3.0 x4)
- Lesen: 3400MB/s
- Schreiben: 2700MB/s SLC-Cached
- IOPS 4K: 500k lesend, 600k schreibend
- Speichermodule: 3D-NAND TLC, 64 Layer
- TBW: 800TB (entspricht TBW von 800TB pro TB Kapazität)
- Cache: 1GB (DDR4), SLC-Cache
- Protokoll: NVMe 1.3
- Ergänzungen: Hinweis| Die Geschwindigkeitsangaben des Herstellers differieren je nachdem, welche Länderversion der Hersteller-Website betrachtet wird.Achtung| Unterschiedliche Versionen im Umlauf.
weitere Informationen
- Kapazität: 500GB (entspricht ca. 465.66GiB, weiterführende Informationen hierzu)
- Bauform: Solid State Module (SSM)
- Formfaktor: M.2 2280
- Schnittstelle: M.2/B-M-Key (SATA 6Gb/s)
- Lesen: 560MB/s
- Schreiben: 530MB/s
- IOPS 4K: 95k lesend, 85k schreibend
- Speichermodule: 3D-NAND TLC, Toshiba/WD
- TBW: 350TB (entspricht TBW von 700TB pro TB Kapazität)
- Zuverlässigkeitsprognose: 2 Mio. Stunden (MTTF)
- Protokoll: AHCI
weitere Informationen
- Kapazität: 1TB (entspricht ca. 931.32GiB bzw. 0.91TiB, weiterführende Informationen hierzu)
- Bauform: Solid State Module (SSM)
- Formfaktor: M.2 2280
- Schnittstelle: M.2/B-M-Key (SATA 6Gb/s)
- Lesen: 560MB/s
- Schreiben: 530MB/s
- IOPS 4K: 95k lesend, 85k schreibend
- Speichermodule: 3D-NAND TLC, Toshiba/WD
- TBW: 600TB (entspricht TBW von 600TB pro TB Kapazität)
- Zuverlässigkeitsprognose: 2 Mio. Stunden (MTTF)
- Protokoll: AHCI
weitere Informationen
- Kapazität: 256GB (entspricht ca. 238.42GiB, weiterführende Informationen hierzu)
- Bauform: Solid State Module (SSM)
- Formfaktor: M.2 2280
- Schnittstelle: M.2/B-M-Key (SATA)
- Lesen: 550MB/s
- Schreiben: 500MB/s
- Speichermodule: 3D-NAND TLC
- Protokoll: AHCI
weitere Informationen
- Kapazität: 500GB (entspricht ca. 465.66GiB, weiterführende Informationen hierzu)
- Bauform: Solid State Module (SSM)
- Formfaktor: M.2 2280
- Schnittstelle: M.2/M-Key (PCIe 3.0 x4)
- Lesen: 3100MB/s
- Schreiben: 2600MB/s SLC-Cached
- IOPS 4K: 400k lesend, 470k schreibend
- Speichermodule: 3D-NAND TLC, Samsung, 128 Layer (V-NAND v6)
- TBW: 300TB (entspricht TBW von 600TB pro TB Kapazität)
- Zuverlässigkeitsprognose: 1.5 Mio. Stunden (MTBF)
- Controller: Samsung Pablo
- Cache: SLC-Cache (dynamisch bis 122GB)
- Protokoll: NVMe 1.4
- Datenschutzfunktionen: 256bit AES, TCG Opal 2.0
- L1.2 Low-Power-Standby
weitere Informationen
- Kapazität: 250GB (entspricht ca. 232.83GiB, weiterführende Informationen hierzu)
- Bauform: Solid State Module (SSM)
- Formfaktor: M.2 2280
- Schnittstelle: M.2/M-Key (PCIe 3.0 x4)
- Lesen: 2100MB/s
- Schreiben: 1100MB/s SLC-Cached
- Speichermodule: 3D-NAND TLC
- TBW: 150TB (entspricht TBW von 600TB pro TB Kapazität)
- Controller: Silicon Motion SM2263XT, 4 Kanäle
- Cache: SLC-Cache
- Protokoll: NVMe 1.3
weitere Informationen
- Kapazität: 250GB (entspricht ca. 232.83GiB, weiterführende Informationen hierzu)
- Bauform: Solid State Module (SSM)
- Formfaktor: M.2 2280
- Schnittstelle: M.2/M-Key (PCIe 4.0 x4)
- Lesen: 4000MB/s
- Schreiben: 2000MB/s SLC-Cached
- IOPS 4K: 240k lesend, 470k schreibend
- Speichermodule: 3D-NAND TLC, Kioxia, 112 Layer (BiCS5)
- TBW: 200TB (entspricht TBW von 800TB pro TB Kapazität)
- Zuverlässigkeitsprognose: 1.75 Mio. Stunden (MTBF)
- Controller: Western Digital, 4 Kanäle
- Cache: SLC-Cache
- Protokoll: NVMe 1.4
weitere Informationen
- Kapazität: 1TB (entspricht ca. 931.32GiB bzw. 0.91TiB, weiterführende Informationen hierzu)
- Bauform: Solid State Module (SSM)
- Formfaktor: M.2 2280
- Schnittstelle: M.2/M-Key (PCIe 4.0 x4)
- Lesen: 7000MB/s
- Schreiben: 5000MB/s SLC-Cached (2000MB/s TLC)
- IOPS 4K: 1000k lesend, 1000k schreibend
- Speichermodule: 3D-NAND TLC, Samsung, 128 Layer (V-NAND v6)
- TBW: 600TB (entspricht TBW von 600TB pro TB Kapazität)
- Zuverlässigkeitsprognose: 1.5 Mio. Stunden (MTBF)
- Controller: Samsung Elpis/S4LV003, 8 Kanäle
- Cache: 1GB (LPDDR4), SLC-Cache (dynamisch ab 6GB bis 36GB)
- Protokoll: NVMe 1.3c
- Datenschutzfunktionen: 256bit AES, TCG Opal 2.0
- M.2-Kühlkörper, L1.2 Low-Power-Standby
weitere Informationen
- Kapazität: 256GB (entspricht ca. 238.42GiB, weiterführende Informationen hierzu)
- Bauform: Solid State Module (SSM)
- Formfaktor: M.2 2280
- Schnittstelle: M.2/M-Key (PCIe 3.0 x4)
- Lesen: 3500MB/s
- Schreiben: 1300MB/s SLC-Cached
- IOPS 4K: 92k lesend, 240k schreibend
- Speichermodule: 3D-NAND TLC
- TBW: 125TB (entspricht TBW von 488.3TB pro TB Kapazität)
- Zuverlässigkeitsprognose: 1.5 Mio. Stunden (MTBF)
- Cache: SLC-Cache
- Protokoll: NVMe 1.4
weitere Informationen
- Kapazität: 2048GB (entspricht ca. 1907.35GiB bzw. 1.86TiB, weiterführende Informationen hierzu)
- Bauform: Solid State Module (SSM)
- Formfaktor: M.2 2280
- Schnittstelle: M.2/M-Key (PCIe 4.0 x4)
- Lesen: 7000MB/s
- Schreiben: 7000MB/s SLC-Cached
- IOPS 4K: 1000k lesend, 1000k schreibend
- Speichermodule: 3D-NAND TLC, Kioxia, 112 Layer (BiCS5)
- TBW: 1.6PB (entspricht TBW von 781.2TB pro TB Kapazität)
- Zuverlässigkeitsprognose: 1.8 Mio. Stunden (MTBF)
- Controller: Phison PS5018-E18, 8 Kanäle
- Cache: DRAM-Cache Speichervolumen nicht erfasst oder unterschiedliche Größen möglich (DDR4), SLC-Cache
- Protokoll: NVMe 1.4
- M.2-Kühlkörper
- Ergänzungen: Hinweis| Diese Modell wurde vor 2023 mit Micron TLC 176 Layer NAND bestückt ausgeliefert.
weitere Informationen
- Kapazität: 1TB (entspricht ca. 931.32GiB bzw. 0.91TiB, weiterführende Informationen hierzu)
- Bauform: Solid State Module (SSM)
- Formfaktor: M.2 2280
- Schnittstelle: M.2/M-Key (PCIe 3.0 x4)
- Lesen: 2100MB/s
- Schreiben: 1700MB/s SLC-Cached
- Speichermodule: 3D-NAND TLC
- TBW: 600TB (entspricht TBW von 600TB pro TB Kapazität)
- Controller: Silicon Motion SM2263XT, 4 Kanäle
- Cache: SLC-Cache
- Protokoll: NVMe 1.3
weitere Informationen
- Kapazität: 128GB (entspricht ca. 119.21GiB, weiterführende Informationen hierzu)
- Bauform: Solid State Module (SSM)
- Formfaktor: M.2 2280
- Schnittstelle: M.2/M-Key (PCIe 3.0 x4)
- Lesen: 1860MB/s
- Schreiben: 600MB/s
- Speichermodule: 3D-NAND TLC
- Protokoll: NVMe
weitere Informationen
- Kapazität: 2TB (entspricht ca. 1862.65GiB bzw. 1.82TiB, weiterführende Informationen hierzu)
- Bauform: Solid State Module (SSM)
- Formfaktor: M.2 2280
- Schnittstelle: M.2/M-Key (PCIe 4.0 x4)
- Lesen: 7000MB/s
- Schreiben: 5100MB/s SLC-Cached (2000MB/s TLC)
- IOPS 4K: 1000k lesend, 1000k schreibend
- Speichermodule: 3D-NAND TLC, Samsung, 128 Layer (V-NAND v6)
- TBW: 1.3PB (entspricht TBW von 650TB pro TB Kapazität)
- Zuverlässigkeitsprognose: 1.5 Mio. Stunden (MTBF)
- Controller: Samsung Elpis/S4LV003, 8 Kanäle
- Cache: 2GB (LPDDR4), SLC-Cache (dynamisch ab 6GB bis 36GB)
- Protokoll: NVMe 1.3c
- Datenschutzfunktionen: 256bit AES, TCG Opal 2.0
- M.2-Kühlkörper, L1.2 Low-Power-Standby
weitere Informationen
- Kapazität: 500GB (entspricht ca. 465.66GiB, weiterführende Informationen hierzu)
- Bauform: Solid State Module (SSM)
- Formfaktor: M.2 2280
- Schnittstelle: M.2/M-Key (PCIe 3.0 x4)
- Lesen: 2100MB/s
- Schreiben: 1700MB/s SLC-Cached
- Speichermodule: 3D-NAND TLC
- TBW: 300TB (entspricht TBW von 600TB pro TB Kapazität)
- Controller: Silicon Motion SM2263XT, 4 Kanäle
- Cache: SLC-Cache
- Protokoll: NVMe 1.3
weitere Informationen
- Kapazität: 2TB (entspricht ca. 1862.65GiB bzw. 1.82TiB, weiterführende Informationen hierzu)
- Bauform: Solid State Module (SSM)
- Formfaktor: M.2 2280
- Schnittstelle: M.2/M-Key (PCIe 4.0 x4)
- Lesen: 7300MB/s
- Schreiben: 7000MB/s SLC-Cached
- IOPS 4K: 1000k lesend, 1000k schreibend
- Speichermodule: 3D-NAND TLC
- TBW: 2PB (entspricht TBW von 1000TB pro TB Kapazität)
- Zuverlässigkeitsprognose: 1.8 Mio. Stunden (MTBF)
- Controller: Phison PS5018-E18, 8 Kanäle
- Cache: DRAM-Cache Speichervolumen nicht erfasst oder unterschiedliche Größen möglich (DDR4), SLC-Cache
- Protokoll: NVMe 1.4
- M.2-Kühlkörper
weitere Informationen
- Kapazität: 1TB (entspricht ca. 931.32GiB bzw. 0.91TiB, weiterführende Informationen hierzu)
- Bauform: Solid State Module (SSM)
- Formfaktor: M.2 2242
- Schnittstelle: M.2/B-M-Key (SATA 6Gb/s)
- Lesen: 560MB/s
- Schreiben: 520MB/s
- IOPS 4K: 85k lesend, 85k schreibend
- Speichermodule: 3D-NAND TLC
- TBW: 560TB (entspricht TBW von 560TB pro TB Kapazität)
- Zuverlässigkeitsprognose: 2 Mio. Stunden (MTBF)
- Cache: DRAM-Cache Speichervolumen nicht erfasst oder unterschiedliche Größen möglich (DDR3)
- Protokoll: AHCI
weitere Informationen
- Kapazität: 1TB (entspricht ca. 931.32GiB bzw. 0.91TiB, weiterführende Informationen hierzu)
- Bauform: Solid State Module (SSM)
- Formfaktor: M.2 2280
- Schnittstelle: M.2/B-M-Key (SATA 6Gb/s)
- Lesen: 560MB/s
- Schreiben: 520MB/s SLC-Cached
- IOPS 4K: 90k lesend, 82k schreibend
- Speichermodule: 3D-NAND
- TBW: 400TB
- Zuverlässigkeitsprognose: 2.25 Mio. Stunden (MTBF)
- Cache: SLC-Cache
- Protokoll: AHCI
weitere Informationen
Eine M.2 SSD (Solid-State Drive) ist eine Art interne Festplatte mit einem M.2 Formfaktor, der in Laptops, Ultrabooks und Desktop-Computern eingesetzt wird. Hier sind einige wichtige Informationen über M.2 SSDs:
Geschwindigkeit und Leistung: M.2 SSDs bieten eine hohe Datenübertragungsgeschwindigkeit und Leistung. Sie verwenden die NVMe (Non-Volatile Memory Express) Schnittstelle, die schnellere Lese- und Schreibgeschwindigkeiten im Vergleich zu herkömmlichen SATA-Schnittstellen ermöglicht. Dadurch werden Anwendungen schneller geladen und Dateiübertragungen beschleunigt.
Formfaktor: M.2 SSDs haben einen kompakten Formfaktor und sind in verschiedenen Größen erhältlich, darunter 2242, 2260 und 2280, die sich auf die Breite und Länge der Karte beziehen. Dies ermöglicht eine platzsparende Installation in Geräten mit begrenztem Platzangebot.
Kapazität: M.2 SSDs sind in verschiedenen Speicherkapazitäten erhältlich, von einigen Hundert Gigabyte bis zu mehreren Terabyte. Sie bieten ausreichend Platz für Betriebssysteme, Programme, Daten und Multimedia-Inhalte.
Zuverlässigkeit: M.2 SSDs haben keine beweglichen Teile wie rotierende Festplattenscheiben, was sie stoßfest und weniger anfällig für Datenverlust durch Erschütterungen oder Stöße macht. Sie sind langlebig und bieten eine hohe Zuverlässigkeit.
Kompatibilität: M.2 SSDs sind mit Motherboards kompatibel, die über einen M.2-Steckplatz verfügen. Es ist wichtig, die Kompatibilität des Motherboards zu überprüfen, da M.2 Steckplätze verschiedene Schnittstellen unterstützen können, einschließlich SATA und NVMe.
Energieeffizienz: M.2 SSDs verbrauchen im Allgemeinen weniger Energie als herkömmliche Festplatten, was zu einer längeren Batterielaufzeit bei Verwendung mit Laptops oder anderen mobilen Geräten führt.
Upgrade-Möglichkeit: Der Einbau einer M.2 SSD in ein kompatibles System kann die Leistung erheblich verbessern. Es ermöglicht schnellere Boot-Zeiten, schnellere Datenzugriffe und eine bessere allgemeine Systemleistung.
M.2 SSDs bieten eine schnelle und zuverlässige Speicherlösung für Computer und andere Geräte mit M.2-Steckplatz. Dank ihrer hohen Geschwindigkeit, Zuverlässigkeit und Kapazität sind sie ideal für anspruchsvolle Anwendungen, Gaming, Multimedia und andere Aufgaben, die eine schnelle Datenverarbeitung erfordern.