PNY MN16GSD42666 Speichermodul 16 GB 1 x 16 GB DDR4 2666 MHz
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PNY MN16GSD42666. Komponente für: Laptop, Speicherkapazität: 16 GB, Speicherlayout (Module x Größe): 1 x 16 GB, Interner Speichertyp: DDR4, Speichertaktfrequenz: 2666 MHz, CAS Latenz: 19
Beschreibung
PNY MN16GSD42666 Speichermodul 16 GB 1 x 16 GB DDR4 2666 MHz
Technologie: DDR4 SDRAM Formfaktor: SO DIMM 260-PIN Geschwindigkeit: 2666 MHz PC4-21300 Latenzzeiten: CL19 Datenintegritätsprüfung: Non-ECC Besonderheiten: Ungepuffert Spannung: 1.2 V
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Datenblatt
| Merkmale | |
|---|---|
| Speicherkapazität: | 16 GB |
| Speicherlayout Module x Größe: | 1 x 16 GB |
| Interner Speichertyp: | DDR4 |
| Speichertaktfrequenz: | 2666 MHz |
| Komponente für: | Laptop |
| CAS Latenz: | 19 |
| Logistikdaten | |
| Warentarifnummer HS: | 84733020 |
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