G.Skill 4GB DDR3-1600 SQ Speichermodul 2 x 2 GB 1600 MHz
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- Typ: DDR3 SO-DIMM 204-Pin
- Übertragung: 1600MT/s (1600MHz effektiv - abgeleitet von 800MHz I/O-Takt mit Double Data Rate)
- Speichertakt: 200MHz (intern)
- Module: 2x 2GB
- JEDEC: PC3-12800S
- CAS Latency CL: 9 (entspricht 11.25ns)
- Row-to-Column Delay tRCD: 9 (entspricht 11.25ns)
- Row Precharge Time tRP: 9 (entspricht 11.25ns)
- Active-to-Precharge Time tRAS: 28 (entspricht 35.00ns)
- Spannung: 1.5V
- Modulhöhe: 30mm
- Standard-SPD
weitere Informationen
Passendes Zubehör:
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Datenblatt
Merkmale | |
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Speicherkapazität: | 4 GB |
Speicherlayout Module x Größe: | 2 x 2 GB |
Interner Speichertyp: | DDR3 |
Speichertaktfrequenz: | 1600 MHz |
Komponente für: | Laptop |
Memory Formfaktor: | 204-pin SO-DIMM |
ECC: | Nein |
Gepufferter Speichertyp: | Unregistered unbuffered |
CAS Latenz: | 9 |
Speicherkanäle: | Zweikanalig |
Speicherspannung: | 1.5 V |
SPD profil: | |
Verpackungsdaten | |
Verpackungsart: | SO-DIMM |
Hinweis: Die Beschreibung und das Datenblatt werden von Icecat zur Verfügung gestellt. Für die Richtigkeit und Vollständigkeit der aufgeführten Daten wird keine Haftung übernommen.
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